Интернет магазин бытовой и встраиваемой техники в Новосибирске | onestore-nsk.ru

Оперативная память

Сортировка : по цене
Товаров : 1 - 24 из 267 | Страниц : 1 из 12
82847
Производитель : AMD | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | 
1 350
1-2
недели
82504
Производитель : AMD | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 5 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 5 | Row Precharge Delay (tRP) : 5 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 18 | Напряжение питания : 1.8 В | 
1 400
В наличии
83539
Производитель : Foxline | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : SODIMM 200-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 1 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 5 | Напряжение питания : 1.8 В | 
1 450
1-2
недели
83071
Производитель : Foxline | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 1 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 5 | Напряжение питания : 1.8 В | 
1 469
1-2
недели
82680
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | 
1 500
В наличии
82649
Производитель : Crucial | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | 
1 525
В наличии
82585
Производитель : Crucial | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | 
1 525
В наличии
82667
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : SODIMM 200-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | Напряжение питания : 1.8 В | Количество ранков : 2 | 
1 613
В наличии
82754
Производитель : Kingston | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 9 | Row Precharge Delay (tRP) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 4, односторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 
1 650
В наличии
82864
Производитель : Kingston | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 9 | Row Precharge Delay (tRP) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 4, односторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 
1 650
В наличии
82795
Производитель : Kingston | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 11 | Row Precharge Delay (tRP) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 4, односторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 
1 763
В наличии
82760
Производитель : Kingston | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 11 | Row Precharge Delay (tRP) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 4, односторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 
1 838
В наличии
82557
Производитель : Kingston | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 11 | Row Precharge Delay (tRP) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 4, односторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 
1 838
В наличии
82919
Производитель : Kingston | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 11 | Row Precharge Delay (tRP) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 4, односторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 
1 838
В наличии
82806
Производитель : Kingston | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 11 | Row Precharge Delay (tRP) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 4, односторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 1 | 
1 896
1-2
недели
82759
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 16, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 
2 213
В наличии
82679
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 
2 213
В наличии
82999
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 
2 213
В наличии
82836
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | 
2 213
В наличии
82742
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 
2 213
В наличии
82714
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.6 В | 
2 213
В наличии
82604
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 
2 213
В наличии
83033
Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 1 | 
2 225
1-2
недели
103084
Производитель : AMD | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 15 | Row Precharge Delay (tRP) : 15 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 36 | Напряжение питания : 1.2 В | Радиатор : есть | 
2 288
В наличии