Производитель : SILICON POWER | Тип : SSD | Поддержка секторов размером 4 Кб : есть | Назначение : для ноутбука и настольного компьютера | Форм-фактор : 2.5" | Игровой : есть | Объем : 128 Гб | Скорость записи/Скорость чтения : 420/550 Мб/с | Подключение : SATA 6Gbit/s | Поддержка TRIM : есть | Внешняя скорость передачи данных : 600 Мб/с | Поддержка NCQ : есть | Время наработки на отказ : 1500000 ч | Ударостойкость при работе : 1500 G | Ударостойкость при хранении : 1500 G | Размеры (ШхВхД) : 69.9x7x100 мм | Вес : 63 г | 

Производитель : SILICON POWER | Тип : SSD | Поддержка секторов размером 4 Кб : есть | Тип флэш-памяти : TLC | Назначение : для ноутбука и настольного компьютера | Форм-фактор : 2.5" | Контроллер : Phison PS3108 | Игровой : есть | Объем : 480 Гб | Скорость записи/Скорость чтения : 530/560 Мб/с | Скорость случайной записи (блоки по 4Кб) : 30000 IOPS | Подключение : SATA 6Gbit/s | Внешняя скорость передачи данных : 600 Мб/с | Поддержка NCQ : есть | Время наработки на отказ : 1500000 ч | Ударостойкость при работе : 1500 G | Ударостойкость при хранении : 1500 G | Размеры (ШхВхД) : 69.85x7x100 мм | Вес : 74 г | 

Производитель : EDISSON | описание

Производитель : EDISSON | Тип водонагревателя : накопительный | Способ нагрева : электрический | Объем бака : 100 л | Количество точек водоразбора : несколько точек (напорный) | Давление на входе : от 0.50 до 6 атм. | Максимальная температура нагрева воды : +75 °С | Потребляемая мощность : 1.5 кВт (220 В) | Управление водонагревателем : механическое | Индикация : включения | Ограничение температуры нагрева : есть | Защитный анод : магниевый | Количество анодов : 1 | Внутреннее покрытие бака : эмаль | Электрический нагревательный элемент : ТЭН | Мощность ТЭНов : 1.5 кВт | Количество ТЭНов : 1 шт. | Установка : вертикальная, нижняя подводка, способ крепления: настенный | Вес : 25 кг | 

Производитель : EDISSON | Тип водонагревателя : накопительный | Способ нагрева : электрический | Объем бака : 50 л | Количество точек водоразбора : несколько точек (напорный) | Давление на входе : от 0.50 до 6 атм. | Максимальная температура нагрева воды : +75 °С | Потребляемая мощность : 1.5 кВт (220 В) | Управление водонагревателем : механическое | Индикация : включения | Ограничение температуры нагрева : есть | Защитный анод : магниевый | Внутреннее покрытие бака : эмаль | Электрический нагревательный элемент : ТЭН | Мощность ТЭНов : 1.5 кВт | Количество ТЭНов : 1 шт. | Установка : вертикальная, нижняя подводка, способ крепления: настенный | Размеры (ШхВхГ) : 450x560x460 мм | Вес : 18 кг | 

Производитель : EDISSON | Тип водонагревателя : накопительный | Способ нагрева : электрический | Объем бака : 80 л | Количество точек водоразбора : несколько точек (напорный) | Давление на входе : от 0.50 до 6 атм. | Максимальная температура нагрева воды : +75 °С | Потребляемая мощность : 1.5 кВт (220 В) | Управление водонагревателем : механическое | Индикация : включения | Ограничение температуры нагрева : есть | Защитный анод : магниевый | Количество анодов : 1 | Внутреннее покрытие бака : эмаль | Электрический нагревательный элемент : ТЭН | Мощность ТЭНов : 1.5 кВт | Количество ТЭНов : 1 шт. | Установка : вертикальная, нижняя подводка, способ крепления: настенный | Размеры (ШхВхГ) : 450x800x460 мм | Вес : 23 кг | 

Производитель : EDISSON | Тип водонагревателя : накопительный | Способ нагрева : электрический | Объем бака : 30 л | Количество точек водоразбора : несколько точек (напорный) | Давление на входе : от 0.50 до 6 атм. | Максимальная температура нагрева воды : +75 °С | Потребляемая мощность : 1.5 кВт (220 В) | Управление водонагревателем : механическое | Индикация : включения | Ограничение температуры нагрева : есть | Предохранительный клапан : есть | Степень защиты от воды : 4 | Внутреннее покрытие бака : эмаль | Электрический нагревательный элемент : ТЭН | Мощность ТЭНов : 1.5 кВт | Количество ТЭНов : 1 шт. | Установка : вертикальная, нижняя подводка, способ крепления: настенный | Размеры (ШхВхГ) : 365x501x378 мм | Вес : 14.7 кг | Комплектация : подключение к стандартной розетке | 

Производитель : EDISSON | описание

Производитель : EDISSON | 

Производитель : EDISSON | 

Производитель : EDISSON | 

Производитель : EDISSON | описание

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.6 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 16, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 |