Интернет магазин бытовой и встраиваемой техники в Новосибирске | onestore-nsk.ru

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 16, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2133 МГц | Пропускная способность : 17000 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | Напряжение питания : 1.2 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : SODIMM 260-контактный | Тактовая частота : 2133 МГц | Пропускная способность : 17000 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 16 | Напряжение питания : 1.2 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : SODIMM 200-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | Напряжение питания : 1.8 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 10 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 10 | Row Precharge Delay (tRP) : 10 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 27 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2133 МГц | Пропускная способность : 17000 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | Поддержка XMP : нет | CAS Latency (CL) : 15 | Напряжение питания : 1.2 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 2 модуля по 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 9 | Row Precharge Delay (tRP) : 9 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 24 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 17 | Напряжение питания : 1.2 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 2 модуля по 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 10 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 10 | Row Precharge Delay (tRP) : 10 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 27 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : SODIMM 260-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 16 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 17 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 17 | Row Precharge Delay (tRP) : 17 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 39 | Напряжение питания : 1.2 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип : электрическая цепная | Конструкция : ручная | Мощность : 1800 Вт | Количество скоростей : 1 | Шаг цепи : 3/8 дюйма | Длина шины : 35 см | Функции и возможности : тормоз цепи | Вес : 4.2 кг | Емкость масляного бака : 0.11 л | 

Производитель : MEGAMAX | 

Цвет	черный
Операционная система	Android
Версия операционной системы	Android 11
Гарантийный срок	12 месяцев
Модель	32MG11HSM
Диагональ	32"
Тип матрицы	MVA
Разрешение экрана	1366х768
Формат экрана	16/9
Частота смены кадров (Гц)	60 Гц
Частота обновления	60 Гц
Яркость	260 кд/кв.м
Контрастность	4000/1
Поддержка HDTV	да
Разрешение HD	HD ready
Объем встроенной памяти, Гб	1 Гб
Объем оперативной памяти, Гб	16 Гб
Беспроводные интерфейсы	Wi-Fi ИК-Порт
Стандарт Wi-Fi	IEEE 802.11b/g/n
Интерфейс	CI/CI+ Ethernet
Количество портов USB	2 шт.
Количество портов HDMI	3 шт.
Дополнительные разъемы	HDMI, USB 2.0, AV вход Coaxial Audio выход, Наушники, CI-слот CI+ RJ45 Ethernet, RF (T2/C), S2
Тип звуковой системы	Dolby Digital
Мощность акустики	20 Вт
Количество встроенных динамиков	2 шт.
Коммуникации и мультимедиа	Smart TV Wi-Fi CI+
Цифровой тюнер	DVB-T2 / DVB-T / DVB-C / DVB-S2
Возможность крепления на стену	да
Размер VESA	100х100
Доп. опции телевизора	Встроенный кинотеатр USB CINEMA HD, Поддержка формата звука Dolby AC3 Запись цифровых каналов USB PVR, Пауза просмотра TimeShift Технология DGview, ArtView, Телетекст, Система КОНТРАСТ +
Цифровой ТВ-тюнер	да
Тюнер DVB-T2	да
Защита от детей	да
Тип дистанционного управления	пульт ДУ управление по Wi-Fi управление со смартфона
Управление голосом	нет
Потребляемая мощность	41 Вт
Комплектация	Телевизор, пульт ДУ, кабель питания, инструкция, гарантийный талон.
Страна производства	Россия
Вес без упаковки (кг)	4.2 кг
Вес с упаковкой (кг)	5.4 кг
Ширина предмета	73.1 см
Глубина предмета	8 см
Высота предмета	43.3 см
Ширина предмета с подставкой	73.1 см
Глубина предмета с подставкой	16.5 см
Высота предмета с подставкой	46.9 см
Длина упаковки	10 см
Высота упаковки	47 см
Ширина упаковки	77 см